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天成半导体设备（苏州）有限公司

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TC-CVD300 化学气相沉积设备

🕐 2025-03-10

产品概述

TC-CVD300是天成半导体自主研发的CVD设备，打破进口垄断，填补国内空白。

技术规格

晶圆尺寸：4"、6"、8"
工艺温度：室温~800℃
薄膜均匀性：±1.5%
腔室材质：石英/铝合金可选

适用工艺

SiO₂ / Si₃N₄ / SiON 薄膜沉积